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產(chǎn)品參考圖片
IRLHS6376TRPBF 圖片
IRLHS6376TRPBF
  • 制造廠商：IR（國際整流器公司）
  • 類別封裝：場效應管陣列，6-PQFN
  • 技術參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
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    技術參數(shù)詳情：
  • 制造商產(chǎn)品型號：IRLHS6376TRPBF
  • 制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購
  • 描述：MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
  • 系列：HEXFET
  • FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
  • FET 功能：邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss)：30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：3.6A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：63 毫歐 @ 3.4A，4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 10μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：2.8nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：270pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：1.5W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 產(chǎn)品封裝：6-VDFN 裸露焊盤
  • 供應商器件封裝：6-PQFN（2x2）
  • 現(xiàn)在可以訂購IRLHS6376TRPBF，國內(nèi)庫存當天發(fā)貨，國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
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