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產(chǎn)品參考圖片

IRLBD59N04ETRLP

制造廠商：IR（國(guó)際整流器公司）

類別封裝：單端場(chǎng)效應(yīng)管，TO-263-5

技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5

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技術(shù)參數(shù)詳情：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：IRLBD59N04ETRLP

制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購(gòu)

描述：MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5

系列：HEXFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門(mén)

漏源極電壓 (Vdss)：40V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：59A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：18 毫歐 @ 35A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：50nC @ 5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：2190pF @ 25V

功率 - 最大值：130W

安裝類型：表面貼裝

產(chǎn)品封裝：TO-263-6，D2Pak（5 引線+接片），TO-263BA

供應(yīng)商器件封裝：TO-263-5

現(xiàn)在可以訂購(gòu)IRLBD59N04ETRLP，國(guó)內(nèi)庫(kù)存當(dāng)天發(fā)貨，國(guó)外庫(kù)存7-10天內(nèi)發(fā)貨。

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