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產(chǎn)品參考圖片

IRFHM8363TR2PBF

制造廠商：IR（國(guó)際整流器公司）

類別封裝：場(chǎng)效應(yīng)管陣列，8-PQFN

技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

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技術(shù)參數(shù)詳情：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：IRFHM8363TR2PBF

制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購(gòu)

描述：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

系列：HEXFET

FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：11A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：14.9 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：15nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1165pF @ 10V

功率 - 最大值：2.7W

安裝類型：表面貼裝

產(chǎn)品封裝：8-PowerVDFN

供應(yīng)商器件封裝：8-PQFN（3.3x3.3）， Power33

現(xiàn)在可以訂購(gòu)IRFHM8363TR2PBF，國(guó)內(nèi)庫(kù)存當(dāng)天發(fā)貨，國(guó)外庫(kù)存7-10天內(nèi)發(fā)貨。

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