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產(chǎn)品參考圖片

IRF8306MTR1PBF

制造廠商：IR（國(guó)際整流器公司）

類別封裝：單端場(chǎng)效應(yīng)管，DIRECTFET

技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 23A DFN3X3EP

（專注銷售IR電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�

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技術(shù)參數(shù)詳情：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：IRF8306MTR1PBF

制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購

描述：MOSFET N-CH 30V 23A DFN3X3EP

系列：HEXFET

FET 類型：MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物!

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：23A（Ta），140A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：2.5 毫歐 @ 23A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 100μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：38nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：4110pF @ 15V

功率 - 最大值：2.1W

安裝類型：表面貼裝

產(chǎn)品封裝：DirectFET 等容 MX

供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET MX

現(xiàn)在可以訂購IRF8306MTR1PBF，國(guó)內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨，國(guó)外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。

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