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產(chǎn)品參考圖片
IRF7779L2TR1PBF 圖片
IRF7779L2TR1PBF
  • 制造廠商：IR（國(guó)際整流器公司）
  • 類別封裝：單端場(chǎng)效應(yīng)管，DIRECTFET
  • 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
  • （專注銷售IR電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�
  • （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購(gòu)）
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    全方位電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)鏈管理解決方案，IR（國(guó)際整流器公司）授權(quán)中國(guó)代理商
    技術(shù)參數(shù)詳情：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IRF7779L2TR1PBF
  • 制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購(gòu)
  • 描述：MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
  • 系列：HEXFET
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓 (Vdss)：150V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：375A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：11 毫歐 @ 40A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：150nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：6660pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：3.3W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 產(chǎn)品封裝：DirectFET 等距 L8
  • 供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET L8
  • 現(xiàn)在可以訂購(gòu)IRF7779L2TR1PBF，國(guó)內(nèi)庫(kù)存當(dāng)天發(fā)貨，國(guó)外庫(kù)存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
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