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產(chǎn)品參考圖片
IRF640N 圖片
IRF640N
  • 制造廠商:IR(國際整流器公司)
  • 類別封裝:單端場效應管,TO-220AB
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
  • (專注銷售IR電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當天發(fā)貨。
  • (您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購)
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    技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號:IRF640N
  • 制造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛凌INFINEON收購
  • 描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
  • 系列:HEXFET
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):18A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):150 毫歐 @ 11A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):67nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1160pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:150W
  • 安裝類型:通孔
  • 產(chǎn)品封裝:TO-220-3
  • 供應商器件封裝:TO-220AB
  • 現(xiàn)在可以訂購IRF640N,國內(nèi)庫存當天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
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