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產(chǎn)品參考圖片
IRF200B211 圖片
IRF200B211
  • 制造廠商：IR（國(guó)際整流器公司）
  • 類別封裝：FET - 單，TO-220-3
  • 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
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    技術(shù)參數(shù)詳情：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào): IRF200B211
  • 制造廠家名稱: International Rectifier(已被英飛凌收購(gòu))
  • 功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
  • 系列: HEXFET，StrongIRFET
  • FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓（Vdss）: 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 12A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）: 170 毫歐 @ 7.2A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: 4.9V @ 50μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: 23nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 790pF @ 50V
  • 功率 - 最大值: 80W
  • 安裝類型: 通孔
  • 產(chǎn)品封裝: TO-220-3
  • 供應(yīng)商器件封裝: TO-220AB
  • 現(xiàn)在可以訂購(gòu)IRF200B211，國(guó)內(nèi)庫(kù)存當(dāng)天發(fā)貨，國(guó)外庫(kù)存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
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