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      IR代理商 > > IR芯片 > > IRF1018EPBF
      產(chǎn)品參考圖片
      IRF1018EPBF 圖片
      IRF1018EPBF
    2. 制造廠商:IR(國際整流器公司)
    3. 類別封裝:單端場效應(yīng)管,TO-220AB
    4. 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
    5. (專注銷售IR電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨。
    6. (您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購)
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      技術(shù)參數(shù)詳情:
    8. 制造商產(chǎn)品型號:IRF1018EPBF
    9. 制造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛凌INFINEON收購
    10. 描述:MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
    11. 系列:HEXFET
    12. FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    13. FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
    14. 漏源極電壓 (Vdss):60V
    15. 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):79A(Tc)
    16. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):8.4 毫歐 @ 47A,10V
    17. 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100μA
    18. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):69nC @ 10V
    19. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2290pF @ 50V
    20. 功率 - 最大值:110W
    21. 安裝類型:通孔
    22. 產(chǎn)品封裝:TO-220-3
    23. 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB
    24. 現(xiàn)在可以訂購IRF1018EPBF,國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
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